$ 443.35 € 475.54 ₽ 4.82
АҚШ-тың Техас штатындағы Райс университетінің ғалымдары осындай мәлімдеме жасап отыр, деп хабарлайды Hitech.vesti.ru.
Аталған университеттің ғалымдары мейлінше үлкен сиымдылықтағы RRAM жедел жадтарын жасап шығаратын өндіріс технологиясын таныстырды. Ғалымдардың айтуынша, енді бұл жаңа технология қарапайым планшеттердің жадын он есе, тіпті жүз есе арттыруға мүмкіндік береді. Нақтырақ айтқанда, RRAM жадтарының жаңадан жасалған бір түрі мейлінше көп нәрсені сидыра алады және кәдімгі жадтарға қарағанда қуатты да аз тұтынады. Оның үстіне, көлемі де шақтас.
Қазіргі уақытта мұндай жадтарды шығарумен санаулы ғана компания айналысуда. Оны жасап шығару да көп уақытты қажет етеді және өте қиын.
Дегенмен, Райс университетінің ғалымдары өзгеше жолын ұсынып отыр. Оған сай, RRAM-жадтар ұяшықтарын қарапайым бөлме температурасында және әлдеқайда төменгі кернеу жағдайында жасауға болады. Ол үшін ұсақ тесікті кремний тотығы негізгі диэлектрикалық материал ретінде қолданылады.
Осындай жағдайда құрастырылған ұяшықтар барынша сенімді әрі мәліметтерді сақтау үшін қуат көзін қажет етпейді. Ұяшықта 9 битке дейін дерек сақтап, деректерді жылдам (қарапайым флеш-жадтарға қарағанда жүз есе жылдам) жазып, оқи алады. Ең бастысы, жаңа технология RRAM-жадтың төсемдерін жеңілдетеді. Ал, бұл өз кезегінде ақпарат сиымдылығын арттыруға мүмкіндік береді. Мәселен, бұл жадтардың бірінің мәлімет сидыру қабілетінің жоғарылығы сондай, көлемі пошта маркасындай микросхеманың бір өзіне терабайтқа дейін сиып кетеді.
